GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON phá kỷ lục ép xung với bộ xử lý Intel Core i9 11900K

(vfo.vn) Vừa qua, GIGABYTE đã trình làng bo mạch chủ Z590 AORUS TACHYON với bộ xử lý Intel Core i9 11900K thế hệ thứ 11 mới nhất và bộ tản nhiệt bằng nitơ lỏng LN2 lập kỷ lục ép xung hàng đầu thế giới với xung nhịp 7314MHz cũng như phá kỷ lục thế giới của Super Pi 1M và Super Pi 32M.



Bo mạch chủ GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON được trang bị nhiều chức năng được thiết kế cho các tay ép xung chuyên nghiệp, hứa hẹn mang lại xung nhịp cao hơn với thao tác dễ dàng hơn.​
GIGABYTE-Z590-AORUS-TACHYON.jpg
Jackson Hsu - Giám đốc Bộ phận Phát triển Sản phẩm Giải pháp Kênh GIGABYTE cho hay: “Với sự hỗ trợ của đội ngũ quản lý và thiết kế kỹ thuật, nhóm nghiên cứu và phát triển sản phẩm của GIGABYTE có thể biến những ý tưởng “điên rồ” thành sản phẩm mà khách hàng nào cũng ao ước. Bo mạch chủ GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON là sản phẩm ra đời từ những khái niệm sáng tạo này sau quãng thời gian dài cân nhắc. Sản phẩm là minh chứng cho năng lực tuyệt vời của nhóm nghiên cứu và phát triển sản phẩm GIGABYTE về ép xung LN2 bằng những kỷ lục thế giới mà hãng đã tạo ra. Tất nhiên, chúng tôi cũng sẽ sử dụng Z590 AORUS TACHYON để tạo ra hiệu suất ép xung tốt hơn và bản thân chúng tôi đang rất háo hức chờ đón người ép xung trên toàn thế giới sử dụng bo mạch chủ này để phá vỡ nhiều kỷ lục thế giới hơn nữa!”.​
Intel-Core-i9-11900K---GIGABYTE-Z590-AORUS-TACHYON.jpg
GIGABYTE Z590 AORUS TACHYON được thiết kế bởi chính các cao thủ ép xung để phá kỷ lục thế giới. GIGABYTE cho biết dựa trên độ bền và ổn định theo tiêu chuẩn của GIGABYTE, nhóm nghiên cứu & phát triển sản phẩm của hãng đã dành nhiều nguồn lực để làm cho bo mạch chủ này phù hợp hơn với nhu cầu của người dùng.

Z590 AORUS TACHYON sử dụng nguồn 12+1 pha trực tiếp, mỗi pha có thể chứa tới 100 ampe với thiết kế power stages DrMOS để cung cấp khả năng kiểm soát điện năng toàn diện. Khu vực VRM bố cục hàng loạt tụ điện tantali, cho phép nhiệt độ tổng thể thấp hơn và ép xung ổn định hơn.

Giải pháp Reactive Armor mới nhất sử dụng tản nhiệt kim loại một mảnh tích hợp để cung cấp phạm vi tản nhiệt lớn hơn của MOSFET, đồng thời nhiều lá tản nhiệt mỏng và bề mặt có rãnh cung cấp diện tích tản nhiệt lớn hơn 2 lần so với thiết kế truyền thống, cải thiện đáng kể sự đối lưu và dẫn nhiệt bằng cách cho phép nhiều luồng không khí hơn đi qua bộ tản nhiệt.

Hơn nữa, lớp PCB 2 Oz của vùng CPU và định tuyến bộ nhớ 2DIMM Daisy Chain độc quyền với thiết kế chống nhiễu giúp người dùng linh hoạt hơn về cấu hình và hiệu suất bộ nhớ. Các mạch bộ nhớ tích hợp bên trong các lớp nền PCB và lớp kim loại bên ngoài của PCB giúp giảm nhiễu điện từ để người dùng có thể tận hưởng hiệu suất RAM ép xung tốc độ cao, ổn định hơn. Bộ công cụ ép xung độc quyền bao gồm các nút ép xung mạnh mẽ và những tính năng phát hiện có thể cho phép người ép xung dễ dàng vượt qua các giới hạn.

Bo mạch chủ Z590 AORUS TACHYON còn được trang bị các tính năng nổi bật của GIGABYTE và cấu hình nâng cao Intel 2.5Gb Ethernet, WIFI 6E 802.11ax, giao diện USB 3.2 Gen2x2 Type-C và giao diện mở rộng PCIe 4.0. Giao diện BIOS cũng được cải tiến với công nghệ Smart Fan 6 hiển thị các thông tin chính như tốc độ đồng hồ, bộ nhớ, thiết bị lưu trữ, trạng thái/cài đặt quạt, kiểm soát nhiệt độ và các thông tin phần cứng quan trọng khác theo cách trực quan và thân thiện hơn với người dùng. Nhờ bổ sung QFLASH, người dùng cập nhật BIOS hệ thống dễ dàng hơn bằng flash USB, không cần cài đặt bộ xử lý, bộ nhớ và VGA.​

Theo: GIGABYTE

 
  • Chủ đề
    gigabyte intel core i9 11900k pcie 4.0 phá kỷ lục ép xung z590 aorus tachyon
  • Top