GIGABYTE Z690 AORUS TACHYON phá vỡ kỷ lục ép xung Dual 8GHz trên CPU i9-12900K và bộ nhớ DDR5

(vfo.vn) Ngày 03/11/2021, GIGABYTE ra mắt bo mạch chủ Z690 AORUS TACHYON với bộ xử lý Intel Core i9 12900K thế hệ thứ 12 mới nhất cùng bộ tản nhiệt nitơ lỏng LN2 đã phá vỡ kỷ lục ép xung hàng đầu thế giới Dual 8GHz, 8000MHz trên CPU i9-12900K và 8300MHz trên bộ nhớ DDR5.

Z690-AORUS-TACHYON.jpg

Ông Jackson Hsu, Giám đốc bộ phận phát triển sản phẩm giải pháp kênh GIGABYTE cho biết: “GIGABYTE quyết tâm mang thời kỳ huy hoàng ép xung của mình trở lại bằng việc ra mắt bo mạch chủ Z590 AORUS TACHYON và Z690 AORUS TACHYON đã là minh chứng cho thế hệ tiếp theo của dòng sản phẩm chuyên ép xung của GIGABYTE. Z690 AORUS TACHYON là tâm huyết của cả đội ngũ nghiên cứu và phát triển sản phẩm tại GIGABYTE và thể hiện khả năng mạnh mẽ về ép xung LN2 bằng những kỷ lục thế giới mà hãng đã tạo ra. Chúng tôi chắc chắn sẽ sử dụng Z690 AORUS TACHYON để tạo ra hiệu suất ép xung tốt hơn và đang rất nóng lòng chờ đợi những người ép xung trên toàn thế giới sử dụng bo mạch chủ này để phá vỡ nhiều kỷ lục thế giới hơn!

Z690 AORUS TACHYON được thiết kế để dành riêng cho nhu cầu ép xung. Bo mạch chủ này sử dụng nguồn điện 15+1+2 pha trực tiếp, mỗi pha đều có thể giữ được tối đa 105 ampe với thiết kế Smart Power Stage nhằm có thể cung cấp khả năng quản lý điện năng toàn diện. Khu vực VRM triển khai ma trận tụ điện tantali đầy đủ, đáp ứng quá độ nhất thời tốt hơn và ít can thiệp cơ học hơn, có thể cải thiện độ ổn định của nguồn điện và ép xung. Giải pháp Reactive Armor mới nhất sử dụng tản nhiệt kim loại một mảnh tích hợp để cung cấp phạm vi tản nhiệt lớn hơn, đồng thời lá tản nhiệt được dát mỏng và bề mặt có rãnh cung cấp diện tích tản nhiệt lớn hơn thiết kế truyền thống.

Shielded Memory Routing, DIMM bộ nhớ SMD và cài đặt BIOS ép xung bộ nhớ DDR5 toàn diện cũng có thể giúp tăng cường độ ổn định khi ép xung. Trong khi đó, thiết kế bộ ép xung tích hợp trên bo mạch chủ cung cấp các phím tắt, công tắc bật tắt và chức năng phát hiện điện áp được nhiều tín đồ công nghệ sử dụng trong quá trình điều chỉnh ép xung, cho phép người dùng điều chỉnh cài đặt thuận tiện hơn thông qua các phím tắt này, giúp người dùng có thể đạt được kết quả ép xung tốt hơn. Thử nghiệm cho thấy hiệu suất ép xung LN2 của CPU i9-12900K 8000MHz và bộ nhớ DDR5 8300MHz nhờ khả năng nghiên cứu và phát triển từ GIGABYTE.​
12900K_8000MHz.jpg

DDR5-8300.jpg

Với thiết kế VRM công suất kỹ thuật số lên đến 20+1+2 pha và mỗi pha chứa tối đa 105 ampe và thiết kế tản nhiệt Fins-Array III cải tiến, dòng Z690 AORUS được trang bị thiết kế điện năng và quản lý nhiệt tốt hơn để giải phóng hiệu suất rất cao và khả năng ép xung được tối ưu hóa trên bộ xử lý Intel Core đa lõi K series thế hệ mới. PCB, khe cắm và linh kiện PCIe 5.0 cũng được triển khai trên Z690 AORUS để nâng cao hiệu suất và độ ổn định.

Các khe cắm bộ nhớ SMD độc quyền với ốp che chắn kim loại để chống nhiễu và cài đặt BIOS ép xung bộ nhớ DDR5 cung cấp tín hiệu ổn định hơn cho bộ nhớ, cho phép người dùng tăng hiệu suất XMP và ép xung ổn định hơn. Một vài bo mạch chủ Z690 AORUS cung cấp I/O đa tính năng với tấm chắn I/O tích hợp cũng như thiết kế Thermal Guard III mới nhất, Smart Fan 6... Từ hiệu suất, quản lý điện năng, nhiệt độ, đến âm thanh, bo mạch chủ Z690 AORUS có đủ, phù hợp cho các dòng máy tính cao cấp.​

Toàn bộ thông tin được cung cấp bởi GIGABYTE

 
  • Chủ đề
    bộ nhớ ddr5 gigabyte i9-12900k kỷ lục ép xung z690 aorus tachyon
  • Thống kê

    Chủ đề
    101,586
    Bài viết
    468,840
    Thành viên
    340,155
    Thành viên mới nhất
    minh1112
    Top