Samsung đã trở thành một trong những nhà sản xuất đa chủng loại nhiều nhất trong thế giới di động, có khả năng cung cấp trên thị trường với các sản phẩm khác nhau, từ bộ vi xử lý ứng dụng, hay màn hình OLED / LCD, và cho tới các mô-đun bộ nhớ RAM.
Tiến bộ công nghệ mới nhất của công ty đã được chính thức công bố vào ngày hôm qua, khi Samsung tiết lộ rằng nó đã phát triển thành công 10nm FinFET S-RAM cho các ứng dụng điện thoại di động, thậm chí đánh bại cả Intel và TSMC.
Cụ thể hôm qua, Samsung Electronics đã thông báo rằng nó đã phát triển thành công một thế hệ mới của S-RAM cho các ứng dụng điện thoại di động. Các module được dựa trên công nghệ FinFET 10nm và có tốc độ truyền tải 128 Mb, làm cho chúng nhanh hơn nhiều so với các đối tác D-RAM của họ. S-RAM 10nm FinFET sẽ có diện tích bề mặt nhỏ hơn bằng 37,5% so với S-RAM được sản xuất trên quy trình 14nm.
Samsung dường như đã sẵn sàng để sản xuất hàng loạt thế hệ mới của mô-đun S-RAM vào đầu năm 2017. Khi đó, công ty dự kiến sẽ giới thiệu công nghệ mới này tại International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) sẽ được tổ chức vào năm tới vào khoảng thời gian cuối tháng 1.
Mô-đun S-RAM sẽ được sử dụng cho bộ nhớ cache CPU, nơi mà có tốc độ cao và mức tiêu thụ điện năng thấp là chìa khóa để duy trì một mức độ cao về hiệu suất.
Kể từ khi Intel hoãn các nút 10nm của mình cho năm 2017, Samsung dường như đã giành chiến thắng trong cuộc đua với TSMC để ra các dây chuyền sản xuất 10nm FinFET đầu tiên vào năm tới, và sẽ có một thiết bị bán lẻ sử dụng chipset 10nm vào đầu năm 2017. Trong khi đó, Galaxy S7 có khả năng sẽ chạy một thế hệ tiếp theo của chipset quá trình 14nm, mà phiên bản mới này nhằm cải thiện độ tiêu thụ điện năng và hiệu suất.
VFO.VN (theo PhoneArena.com)
